石英坩堝是一種耐溫性強(qiáng)、純度高的器皿，在我們的生活中應(yīng)用廣泛。拉單晶時(shí)有很好的效果。但是很多人不太了解產(chǎn)品晶體中氧含量的影響。接下來，讓我們了解一下：
　　1、單晶中氧的主要來源
　　雖然坩堝的熔點(diǎn)高于硅料的熔點(diǎn)，但熔融的液態(tài)硅在高溫下會(huì)腐蝕坩堝，導(dǎo)致少量氧氣進(jìn)入晶體。在硅的熔點(diǎn)附近(1420，硅用坩堝作用，溶解，生成SIO并進(jìn)入硅溶液。然后一氧化硅通過機(jī)械對流、熱對流等轉(zhuǎn)移到熔體表面。所以到達(dá)硅熔體表面的一氧化硅以氣體的形式揮發(fā)，而剩下的一部分一氧化硅溶解在液態(tài)硅中，然后以氧原子的形式進(jìn)入晶體，從而影響單晶的氧含量。
　　2、坩堝防止釋放氧含量的措施
　　氧氣主要來自石英坩堝，因此如何減少坩堝中氧氣的釋放是降低單晶氧含量的重要手段，產(chǎn)品質(zhì)量直接關(guān)系到釋放物的釋放程度。實(shí)際上，坩堝中氧氣的釋放過程就是坩堝的氣泡層穿透透明層將氧氣釋放到硅液中的過程，在坩堝內(nèi)層燒結(jié)一層約3-5mm的透明層，從而保證坩堝內(nèi)表面的純凈度，防止坩堝軟化點(diǎn)過低。因此，坩堝透明層的質(zhì)量決定了坩堝氣泡的釋放程度。
　　以上是小編與您分享的關(guān)于石英坩堝對晶體中氧含量的影響。分別介紹了單晶中氧的來源和坩堝防止氧含量釋放的措施。希望可以幫助你更順利的使用石英坩堝。